Формирование тонких пленок SiOC прямым осаждением из пучков ионов химически активных газов

Abstract

Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок непосредственно из пучков ионов химически активных веществ является одним из перспективных методов нанесения функциональных слоев в микроэлектронике и оптике в связи с рядом принципиальных достоинств по отношению к существующим методам получения тонких пленок в вакууме. Для управления электрофизическими, оптическими и механическими свойствами формируемых слоев необходимо изменять энергию, величину, состав и направленность потока осаждаемых частиц. Такими возможностями обладает метод осаждения пленок из пучков ионов химически активных газов.