Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/36720
Название: Формирование тонких пленок SiOC прямым осаждением из пучков ионов химически активных газов
Авторы: Данилевич, Д. С.
Телеш, Е. В.
Ключевые слова: реактивный ионно-лучевой синтез
синтез тонких пленок
формирование тонких пленок SiOС
осаждение химически активных газов
инновационные технологии
тонкие пленки SiOС
Дата публикации: 2020
Издательство: БГТУ
Библиографическое описание: Данилевич, Д. С. Формирование тонких пленок SiOC прямым осаждением из пучков ионов химически активных газов / Д. С. Данилевич, Е. В. Телеш // Инновационные материалы и технологии - 2020 : материалы Международной научно-технической конференции молодых ученых, Минск, 9-10 января 2020 г. - Минск : БГТУ, 2020. – С. 265-268.
Краткий осмотр (реферат): Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок непосредственно из пучков ионов химически активных веществ является одним из перспективных методов нанесения функциональных слоев в микроэлектронике и оптике в связи с рядом принципиальных достоинств по отношению к существующим методам получения тонких пленок в вакууме. Для управления электрофизическими, оптическими и механическими свойствами формируемых слоев необходимо изменять энергию, величину, состав и направленность потока осаждаемых частиц. Такими возможностями обладает метод осаждения пленок из пучков ионов химически активных газов.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.belstu.by/handle/123456789/36720
Располагается в коллекциях:Материалы конференции постатейно

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Danilevich_Formirovanie_tonkih.pdf287.73 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.