Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/36814
Название: | Технология создания элементов гибкой электроники на основе металлических нанострукутур в порах ионно-трековых мембран |
Авторы: | Шумская, Е. Е. Куцкевич, Е. Г. Алисиенок, Ольга Александровна |
Ключевые слова: | гибкая электроника наноструктуры металлические наноструктуры датчики электрохимические биосенсоры разработка гибких датчиков ионно-трековые шаблоны полиэтилентерефталат инновационные материалы |
Дата публикации: | 2020 |
Издательство: | БГТУ |
Библиографическое описание: | Шумская, Е. Е. Технология создания элементов гибкой электроники на основе металлических нанострукутур в порах ионно-трековых мембран / Е. Е. Шумская, Е. Г. Куцкевич, О. А. Алисиенок // Инновационные материалы и технологии - 2020 : материалы Международной научно-технической конференции молодых ученых, Минск, 9-10 января 2020 г. - Минск : БГТУ, 2020. – С. 88-92. |
Краткий осмотр (реферат): | Предложен метод электохимического осаждения в поры ионно-трековых шаблонов по заданному рисунку, который позволяет получать требуемую точность в воспроизведении рисунка, а также ситнезировать наноструктуры с заданной морфологией, структурными и физическими свойствами. Обнаруженная при изучении петель гистерезиса анизотропия магнитных свойств позволяет рассматривать полученные элементы в качестве датчиков направления магнитного поля. Такие датчики обладают не только простой конструкцией, но и за счет использования в качестве основы гибкой полиэтилентерефталатовой подложки, могут применяться на подвижных и сложнопрофильных поверхностях. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/36814 |
Располагается в коллекциях: | Материалы конференции постатейно |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
SHumskaya_Tekhnologiya_sozdaniya.pdf | 310.9 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.