Оценка скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниковых микроструктурах на основе эффекта магнитоплазменного отражения

Abstract

В данной работе предлагается оценивать скорость поверхностной рекомбинации в плоском n-Si в стационарном режиме по измеренным значениям интенсивности фотовозбуждающего источника (лазерного диода) и концентрации носителей заряда в приповерхностной области полупроводникового слоя. Концентрация носителей в приповерхностной облучаемой области полупроводниковой пластины определялась по резонансной частоте магнитоплазменного поглощения зондирующего излучения миллиметрового диапазона, при которой наблюдается минимальное пропускание.