Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/61738
Название: Оценка скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниковых микроструктурах на основе эффекта магнитоплазменного отражения
Авторы: Мадьяров, Владимир Рафкатович
Ключевые слова: скорость поверхностной рекомбинации
оценка скорости поверхностной рекомбинации
эффект магнитоплазменного отражения
поверхностная рекомбинация
метод измерений рекомбинационных параметров
Дата публикации: 2023
Издательство: БГТУ
Библиографическое описание: Мадьяров, В. Р. Оценка скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниковых микроструктурах на основе эффекта магнитоплазменного отражения / В. Р. Мадьяров // Технологическая независимость и конкурентоспособность Союзного государства, стран СНГ, ЕАЭС и ШОС : сборник статей VI Международной научно-технической конференции "Минские научные чтения - 2023", Минск, 6-8 декабря 2023 г. : в 3 т. - Минск : БГТУ, 2023. - Т. 2. - С. 284-289.
Краткий осмотр (реферат): В данной работе предлагается оценивать скорость поверхностной рекомбинации в плоском n-Si в стационарном режиме по измеренным значениям интенсивности фотовозбуждающего источника (лазерного диода) и концентрации носителей заряда в приповерхностной области полупроводникового слоя. Концентрация носителей в приповерхностной облучаемой области полупроводниковой пластины определялась по резонансной частоте магнитоплазменного поглощения зондирующего излучения миллиметрового диапазона, при которой наблюдается минимальное пропускание.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.belstu.by/handle/123456789/61738
Располагается в коллекциях:материалы конференции постатейно

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Мадьяров_Оценка.pdf409.93 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.