Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/61738
Название: | Оценка скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниковых микроструктурах на основе эффекта магнитоплазменного отражения |
Авторы: | Мадьяров, Владимир Рафкатович |
Ключевые слова: | скорость поверхностной рекомбинации оценка скорости поверхностной рекомбинации эффект магнитоплазменного отражения поверхностная рекомбинация метод измерений рекомбинационных параметров |
Дата публикации: | 2023 |
Издательство: | БГТУ |
Библиографическое описание: | Мадьяров, В. Р. Оценка скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниковых микроструктурах на основе эффекта магнитоплазменного отражения / В. Р. Мадьяров // Технологическая независимость и конкурентоспособность Союзного государства, стран СНГ, ЕАЭС и ШОС : сборник статей VI Международной научно-технической конференции "Минские научные чтения - 2023", Минск, 6-8 декабря 2023 г. : в 3 т. - Минск : БГТУ, 2023. - Т. 2. - С. 284-289. |
Краткий осмотр (реферат): | В данной работе предлагается оценивать скорость поверхностной рекомбинации в плоском n-Si в стационарном режиме по измеренным значениям интенсивности фотовозбуждающего источника (лазерного диода) и концентрации носителей заряда в приповерхностной области полупроводникового слоя. Концентрация носителей в приповерхностной облучаемой области полупроводниковой пластины определялась по резонансной частоте магнитоплазменного поглощения зондирующего излучения миллиметрового диапазона, при которой наблюдается минимальное пропускание. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/61738 |
Располагается в коллекциях: | материалы конференции постатейно |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Мадьяров_Оценка.pdf | 409.93 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.