Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/61738| Title: | Оценка скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниковых микроструктурах на основе эффекта магнитоплазменного отражения |
| Authors: | Мадьяров, Владимир Рафкатович |
| Keywords: | скорость поверхностной рекомбинации оценка скорости поверхностной рекомбинации эффект магнитоплазменного отражения поверхностная рекомбинация метод измерений рекомбинационных параметров |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | БГТУ |
| Citation: | Мадьяров, В. Р. Оценка скорости поверхностной рекомбинации в полупроводниковых микроструктурах на основе эффекта магнитоплазменного отражения / В. Р. Мадьяров // Технологическая независимость и конкурентоспособность Союзного государства, стран СНГ, ЕАЭС и ШОС : сборник статей VI Международной научно-технической конференции "Минские научные чтения - 2023", Минск, 6-8 декабря 2023 г. : в 3 т. - Минск : БГТУ, 2023. - Т. 2. - С. 284-289. |
| Abstract: | В данной работе предлагается оценивать скорость поверхностной рекомбинации в плоском n-Si в стационарном режиме по измеренным значениям интенсивности фотовозбуждающего источника (лазерного диода) и концентрации носителей заряда в приповерхностной области полупроводникового слоя. Концентрация носителей в приповерхностной облучаемой области полупроводниковой пластины определялась по резонансной частоте магнитоплазменного поглощения зондирующего излучения миллиметрового диапазона, при которой наблюдается минимальное пропускание. |
| URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/61738 |
| Appears in Collections: | материалы конференции постатейно |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Мадьяров_Оценка.pdf | 409.93 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.