Лазерный синтез бинарных нанокристаллических структур на основе германия и кремния

Abstract

В настоящей работе рассмотрены возможности метода лазерной абляции в комбинации с лазерно-индуцированной модификацией для синтеза бинарных НЧ SiC, SiGe, GeSn. Обсуждаются основные физические факторы, определяющие формирование наноструктур с требуемыми параметрами. Для нахождения оптимальных условий образования бинарных соединений выполнены исследования внутренней структуры, фазового состава и морфологии НЧ с помощью методов HRTEM, SAED, XPS, Raman и FTIR. Обсуждаются результаты управления морфологией и составом НЧ путем дополнительного воздействия на сформированные частицы и их смеси лазерного излучения определенной длины волны и плотности мощности. Кроме того, рассмотрены возможности комбинированного подхода, основанного на сочетании синтеза НЧ в электрическом разряде с последующим лазерным отжигом полученных частиц излучением второй гармоники ИАГ:Nd{3+} лазера (532 нм).