Влияние полевой ионизации на емкость полупроводникового электрода

Abstract

Изучение зависимости дифференциальной емкости от потенциала электрода широко используется для выяснения распределения потенциала на границе раздела, влияния поверхностных состояний, определения концентрации мелких доноров или акцепторов и потенциала плоских зон. Кроме того, по результатам измерений при высоких потенциалах, можно определять энергетические уровни глубоких дефектов. Однако при высокой концентрации примесей могут стать доминирующими эффекты полевой ионизации глубоких донорных уровней. Таким образом, актуальным становится вопрос об учете взаимного влияния примесей различной природы и явления их полевой ионизации на зависимость дифференциальной емкости от потенциала электрода. В настоящей работе для рассмотрения этой задачи используется модель п-полупроводникового электрода.