Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/67984| Title: | Влияние полевой ионизации на емкость полупроводникового электрода |
| Authors: | Жарский, Иван Михайлович Слесаренко, Ольга Александровна Бокун, Георгий Станиславович Кожух, А. В. |
| Keywords: | полевая ионизация дифференциальная емкость полупроводниковый электрод механизм Френкеля-Пула уравнение Пуассона примеси |
| Issue Date: | 1989 |
| Citation: | Влияние полевой ионизации на емкость полупроводникового электрода / И. М. Жарский, О. А. Слесаренко, Г. С. Бокун, А. В. Кожух. - Текст : непосредственный // Электрохимия. - 1989. - Т. 25, № 12. - С. 1676-1678. - Библиогр.: 5 назв. |
| Abstract: | Изучение зависимости дифференциальной емкости от потенциала электрода широко используется для выяснения распределения потенциала на границе раздела, влияния поверхностных состояний, определения концентрации мелких доноров или акцепторов и потенциала плоских зон. Кроме того, по результатам измерений при высоких потенциалах, можно определять энергетические уровни глубоких дефектов. Однако при высокой концентрации примесей могут стать доминирующими эффекты полевой ионизации глубоких донорных уровней. Таким образом, актуальным становится вопрос об учете взаимного влияния примесей различной природы и явления их полевой ионизации на зависимость дифференциальной емкости от потенциала электрода. В настоящей работе для рассмотрения этой задачи используется модель п-полупроводникового электрода. |
| URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/67984 |
| Appears in Collections: | Жарский Иван Михайлович Статьи в зарубежных изданиях |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Жарский_Влияние.pdf | 205.06 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.