Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/67984
Название: Влияние полевой ионизации на емкость полупроводникового электрода
Авторы: Жарский, Иван Михайлович
Слесаренко, Ольга Александровна
Бокун, Георгий Станиславович
Кожух, А. В.
Ключевые слова: полевая ионизация
дифференциальная емкость
полупроводниковый электрод
механизм Френкеля-Пула
уравнение Пуассона
примеси
Дата публикации: 1989
Библиографическое описание: Влияние полевой ионизации на емкость полупроводникового электрода / И. М. Жарский, О. А. Слесаренко, Г. С. Бокун, А. В. Кожух. - Текст : непосредственный // Электрохимия. - 1989. - Т. 25, № 12. - С. 1676-1678. - Библиогр.: 5 назв.
Краткий осмотр (реферат): Изучение зависимости дифференциальной емкости от потенциала электрода широко используется для выяснения распределения потенциала на границе раздела, влияния поверхностных состояний, определения концентрации мелких доноров или акцепторов и потенциала плоских зон. Кроме того, по результатам измерений при высоких потенциалах, можно определять энергетические уровни глубоких дефектов. Однако при высокой концентрации примесей могут стать доминирующими эффекты полевой ионизации глубоких донорных уровней. Таким образом, актуальным становится вопрос об учете взаимного влияния примесей различной природы и явления их полевой ионизации на зависимость дифференциальной емкости от потенциала электрода. В настоящей работе для рассмотрения этой задачи используется модель п-полупроводникового электрода.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.belstu.by/handle/123456789/67984
Располагается в коллекциях:Жарский Иван Михайлович
Статьи в зарубежных изданиях

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Жарский_Влияние.pdf205.06 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.