1. Электронная библиотека БГТУ
  2. Статьи ученых БГТУ
  3. Статьи в зарубежных изданиях
Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/67984
Title: Влияние полевой ионизации на емкость полупроводникового электрода
Authors: Жарский, Иван Михайлович
Слесаренко, Ольга Александровна
Бокун, Георгий Станиславович
Кожух, А. В.
Keywords: полевая ионизация
дифференциальная емкость
полупроводниковый электрод
механизм Френкеля-Пула
уравнение Пуассона
примеси
Issue Date: 1989
Citation: Влияние полевой ионизации на емкость полупроводникового электрода / И. М. Жарский, О. А. Слесаренко, Г. С. Бокун, А. В. Кожух. - Текст : непосредственный // Электрохимия. - 1989. - Т. 25, № 12. - С. 1676-1678. - Библиогр.: 5 назв.
Abstract: Изучение зависимости дифференциальной емкости от потенциала электрода широко используется для выяснения распределения потенциала на границе раздела, влияния поверхностных состояний, определения концентрации мелких доноров или акцепторов и потенциала плоских зон. Кроме того, по результатам измерений при высоких потенциалах, можно определять энергетические уровни глубоких дефектов. Однако при высокой концентрации примесей могут стать доминирующими эффекты полевой ионизации глубоких донорных уровней. Таким образом, актуальным становится вопрос об учете взаимного влияния примесей различной природы и явления их полевой ионизации на зависимость дифференциальной емкости от потенциала электрода. В настоящей работе для рассмотрения этой задачи используется модель п-полупроводникового электрода.
URI: https://elib.belstu.by/handle/123456789/67984
Appears in Collections:Жарский Иван Михайлович
Статьи в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Жарский_Влияние.pdf205.06 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.