1. Электронная библиотека БГТУ
  2. Материалы конференций и семинаров
  3. Международные конференции
  4. Минские научные чтения
  5. Передовые технологии и инновации в образовании и науке для улучшения качества жизни и стимулирования устойчивого экономического роста : сборник статей VIII Международной научно-технической конференции "Минские научные чтения - 2025", Минск, 3- 5 декабря 2025 г. : в 3 т. Т. 2. - Минск : БГТУ, 2025. - 430 с.
  6. материалы конференции постатейно
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/73318
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorРезнюков, А. Ю.-
dc.contributor.authorРогожин, А. Е.-
dc.contributor.authorПермякова, О. О.-
dc.date.accessioned2026-01-09T08:13:49Z-
dc.date.available2026-01-09T08:13:49Z-
dc.date.issued2025-
dc.identifier.citationРезнюков, А. Ю. Мемристоры на основе оксида гафния для нейроморфных систем / А. Ю. Резнюков, А. Е. Рогожин, О. О. Пермякова // Передовые технологии и инновации в образовании и науке для улучшения качества жизни и стимулирования устойчивого экономического роста : сборник статей VIII Международной научно-технической конференции "Минские научные чтения - 2025", Минск, 3- 5 декабря 2025 г. : в 3 т. Т. 2. - Минск : БГТУ, 2025. – С. 84-88.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/73318-
dc.description.abstractНа текущий момент для реализации процессов обучения ИИ используются схемы на КМОП-транзисторах на архитектуре фон Неймана. В работе предлагается использование мемристоров – электронных приборов, способных проводить «измерения в памяти», с рабочим слоем на основе HfO2, улучшающие быстродействие и энергоэффективность нейроморфных систем.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfru
dc.language.isoruru
dc.publisherБГТУru
dc.subjectмемристорыru
dc.subjectКМОП-технологии с архитектурой фон Нейманаru
dc.subjectискусственный интеллектru
dc.subjectэнергонезависимые приборыru
dc.subjectоксид гафнияru
dc.subjectкроссбар архитектураru
dc.titleМемристоры на основе оксида гафния для нейроморфных системru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udc621.389-
Располагается в коллекциях:материалы конференции постатейно

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Резнюков_Мемристоры.pdf312.42 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.