Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/73318| Название: | Мемристоры на основе оксида гафния для нейроморфных систем |
| Авторы: | Резнюков, А. Ю. Рогожин, А. Е. Пермякова, О. О. |
| Ключевые слова: | мемристоры КМОП-технологии с архитектурой фон Неймана искусственный интеллект энергонезависимые приборы оксид гафния кроссбар архитектура |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издательство: | БГТУ |
| Библиографическое описание: | Резнюков, А. Ю. Мемристоры на основе оксида гафния для нейроморфных систем / А. Ю. Резнюков, А. Е. Рогожин, О. О. Пермякова // Передовые технологии и инновации в образовании и науке для улучшения качества жизни и стимулирования устойчивого экономического роста : сборник статей VIII Международной научно-технической конференции "Минские научные чтения - 2025", Минск, 3- 5 декабря 2025 г. : в 3 т. Т. 2. - Минск : БГТУ, 2025. – С. 84-88. |
| Краткий осмотр (реферат): | На текущий момент для реализации процессов обучения ИИ используются схемы на КМОП-транзисторах на архитектуре фон Неймана. В работе предлагается использование мемристоров – электронных приборов, способных проводить «измерения в памяти», с рабочим слоем на основе HfO2, улучшающие быстродействие и энергоэффективность нейроморфных систем. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/73318 |
| Располагается в коллекциях: | материалы конференции постатейно |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Резнюков_Мемристоры.pdf | 312.42 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.