Исследование релаксационных свойств полупроводников с помощью интерферометрии миллиметрового диапазона

Abstract

Параметры электронного переноса в полупроводнике можно оценить, зная время релаксации и эффективную массу носителей заряда. В данной работе предложена методика измерения времени релаксации носителей заряда в пластинках n-Si и n-Ge методом фазовой компенсации зондирующих волн в диапазоне частот 30–80 ГГц. Время релаксации, определенное по величине сдвига фазы зондирующей волны, хорошо согласуется со значениями, полученными на основе модели Друде – Нернста переноса носителей заряда в однородном полупроводнике.