Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/9687
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Мадьяров, Владимир Рафкатович | ru |
dc.date.accessioned | 2017-03-03T07:40:30Z | - |
dc.date.available | 2017-03-03T07:40:30Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.citation | Мадьяров, В. Р. Исследование релаксационных свойств полупроводников с помощью интерферометрии миллиметрового диапазона / В. Р. Мадьяров // Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2013. - С. 54-56. | - |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/9687 | - |
dc.description.abstract | Параметры электронного переноса в полупроводнике можно оценить, зная время релаксации и эффективную массу носителей заряда. В данной работе предложена методика измерения времени релаксации носителей заряда в пластинках n-Si и n-Ge методом фазовой компенсации зондирующих волн в диапазоне частот 30–80 ГГц. Время релаксации, определенное по величине сдвига фазы зондирующей волны, хорошо согласуется со значениями, полученными на основе модели Друде – Нернста переноса носителей заряда в однородном полупроводнике. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | БГТУ | ru |
dc.subject | интерферометрия миллиметрового диапазона | ru |
dc.subject | массоперенос | ru |
dc.subject | релаксационные свойства | ru |
dc.subject | электронный перенос | ru |
dc.title | Исследование релаксационных свойств полупроводников с помощью интерферометрии миллиметрового диапазона | ru |
dc.type | Article | en |
dc.identifier.udc | 537.633.2 | - |
Appears in Collections: | Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2013 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
madyarov.pdf | 359.31 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.