Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/9687
Название: | Исследование релаксационных свойств полупроводников с помощью интерферометрии миллиметрового диапазона |
Авторы: | Мадьяров, Владимир Рафкатович |
Ключевые слова: | интерферометрия миллиметрового диапазона массоперенос релаксационные свойства электронный перенос |
Дата публикации: | 2013 |
Издательство: | БГТУ |
Библиографическое описание: | Мадьяров, В. Р. Исследование релаксационных свойств полупроводников с помощью интерферометрии миллиметрового диапазона / В. Р. Мадьяров // Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2013. - С. 54-56. |
Краткий осмотр (реферат): | Параметры электронного переноса в полупроводнике можно оценить, зная время релаксации и эффективную массу носителей заряда. В данной работе предложена методика измерения времени релаксации носителей заряда в пластинках n-Si и n-Ge методом фазовой компенсации зондирующих волн в диапазоне частот 30–80 ГГц. Время релаксации, определенное по величине сдвига фазы зондирующей волны, хорошо согласуется со значениями, полученными на основе модели Друде – Нернста переноса носителей заряда в однородном полупроводнике. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/9687 |
Располагается в коллекциях: | Труды БГТУ. №6. Физико-математические науки и информатика, 2013 |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
madyarov.pdf | 359.31 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.