СВЧ-диагностика полупроводников на основе кинетической модели переноса носителей заряда

Abstract

На основе решения кинетического уравнения Больцмана получено выражение для холловской подвижности в СВЧ-области через параметры зонной структуры полупроводника. Показано, что независимо от поперечных размеров образца холловскую подвижность можно определить, измерив проводимости плоского полупроводникового образца в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Экспериментальная проверка расчета диэлектрической проницаемости согласно кинетической модели проводилась на СВЧ-интерферометре в области частот 30–80 ГГц по измерению фазового сдвига зондирующего излучения. Получено удовлетворительное соответствие между результатами расчета с использованием энергетической зависимости времени релаксации ? ~ (W / kT) –1/2 и экспериментальными данными для образца n-Ge.