Надежность отказоустойчивых микросхем памяти, в которых информация согласовывается с состоянием отказавших запоминающих элементов

Урбанович, Павел Павлович; Лойка, С. Л.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/24778

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Урбанович, Павел Павлович	-
dc.contributor.author	Лойка, С. Л.	-
dc.date.accessioned	2018-03-31T06:50:58Z	-
dc.date.available	2018-03-31T06:50:58Z	-
dc.date.issued	1991	-
dc.identifier.citation	Урбанович, П. П. Надежность отказоустойчивых микросхем памяти, в которых информация согласовывается с состоянием отказавших запоминающих элементов / П. П. Урбанович, С. Л. Лойка // Микроэлектроника. - 1991. - Т. 20, вып. 5. - С. 492-497.	ru
dc.identifier.uri	https://elib.belstu.by/handle/123456789/24778	-
dc.description	Важное направление создания СБИС запоминающих устройств (ЗУ) повышенной надежности - использование встроенных аппаратных средств, реализующих принципы избыточного кодирования информации. Размещение избыточных блоков и элементов памяти (ЭП) на кристалле должно производиться с учетом наиболее вероятных типов отказов в СБИС, нейтрализуемых адекватными помехоустойчивыми кодами и алгоритмами функционирования избыточной аппаратуры. Для этого необходимо разработать соответствующие модели надежности СБИС, которые позволили бы производить оценку надежности проектируемых отказоустойчивых микросхем (с избыточностью) .	ru
dc.subject	запоминающие устройства повышенной надежности	ru
dc.subject	отказоустойчивые микросхемы памяти	ru
dc.subject	нажежность микросхем памяти	ru
dc.title	Надежность отказоустойчивых микросхем памяти, в которых информация согласовывается с состоянием отказавших запоминающих элементов	ru
dc.type	Article	ru
dc.identifier.udc	681.3.07.62	-
Appears in Collections:	Статьи в зарубежных изданиях

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
13 Urb_Leu 91.pdf		512.52 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record