Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/24778| Title: | Надежность отказоустойчивых микросхем памяти, в которых информация согласовывается с состоянием отказавших запоминающих элементов |
| Authors: | Урбанович, Павел Павлович Лойка, С. Л. |
| Keywords: | запоминающие устройства повышенной надежности отказоустойчивые микросхемы памяти нажежность микросхем памяти |
| Issue Date: | 1991 |
| Citation: | Урбанович, П. П. Надежность отказоустойчивых микросхем памяти, в которых информация согласовывается с состоянием отказавших запоминающих элементов / П. П. Урбанович, С. Л. Лойка // Микроэлектроника. - 1991. - Т. 20, вып. 5. - С. 492-497. |
| Description: | Важное направление создания СБИС запоминающих устройств (ЗУ) повышенной надежности - использование встроенных аппаратных средств, реализующих принципы избыточного кодирования информации. Размещение избыточных блоков и элементов памяти (ЭП) на кристалле должно производиться с учетом наиболее вероятных типов отказов в СБИС, нейтрализуемых адекватными помехоустойчивыми кодами и алгоритмами функционирования избыточной аппаратуры. Для этого необходимо разработать соответствующие модели надежности СБИС, которые позволили бы производить оценку надежности проектируемых отказоустойчивых микросхем (с избыточностью) . |
| URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/24778 |
| Appears in Collections: | Статьи в зарубежных изданиях |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 13 Urb_Leu 91.pdf | 512.52 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.