Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/25696
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Урбанович, Павел Павлович | - |
dc.date.accessioned | 2018-05-30T06:38:47Z | - |
dc.date.available | 2018-05-30T06:38:47Z | - |
dc.date.issued | 1990 | - |
dc.identifier.citation | Урбанович, П. П. Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации/ П.П. Урбанович// Электронная техника. Сер. 10: Микроэлектронные устройства. – 1990. – Т. 81, вып. 3. – С. 5-7. | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/25696 | - |
dc.description | Проведен анализ надежности полупроводниковых оперативных запоминающих устройств динамического типа при коррекции кодом Хемминга одиночных ошибок в кодовых словах различной длины в режиме регенерации информации. Сделаны практические выводы о влиянии на надежность БИС некоторых конструктивно-технологических и технических параметров кристалла. | ru |
dc.subject | полупроводниковые оперативные запоминающие устройства | ru |
dc.subject | код Хемминга | ru |
dc.title | Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации | ru |
dc.type | Article | ru |
Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Nadezhnost' DOZU.pdf | 183.88 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.