Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.belstu.by/handle/123456789/25696
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorУрбанович, Павел Павлович-
dc.date.accessioned2018-05-30T06:38:47Z-
dc.date.available2018-05-30T06:38:47Z-
dc.date.issued1990-
dc.identifier.citationУрбанович, П. П. Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации/ П.П. Урбанович// Электронная техника. Сер. 10: Микроэлектронные устройства. – 1990. – Т. 81, вып. 3. – С. 5-7.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/25696-
dc.descriptionПроведен анализ надежности полупроводниковых оперативных запоминающих устройств динамического типа при коррекции кодом Хемминга одиночных ошибок в кодовых словах различной длины в режиме регенерации информации. Сделаны практические выводы о влиянии на надежность БИС некоторых конструктивно-технологических и технических параметров кристалла.ru
dc.subjectполупроводниковые оперативные запоминающие устройстваru
dc.subjectкод Хеммингаru
dc.titleНадежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информацииru
dc.typeArticleru
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Nadezhnost' DOZU.pdf183.88 kBAdobe PDFView/Open



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.