Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/25696| Название: | Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации |
| Авторы: | Урбанович, Павел Павлович |
| Ключевые слова: | полупроводниковые оперативные запоминающие устройства код Хемминга |
| Дата публикации: | 1990 |
| Библиографическое описание: | Урбанович, П. П. Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации/ П.П. Урбанович// Электронная техника. Сер. 10: Микроэлектронные устройства. – 1990. – Т. 81, вып. 3. – С. 5-7. |
| Описание: | Проведен анализ надежности полупроводниковых оперативных запоминающих устройств динамического типа при коррекции кодом Хемминга одиночных ошибок в кодовых словах различной длины в режиме регенерации информации. Сделаны практические выводы о влиянии на надежность БИС некоторых конструктивно-технологических и технических параметров кристалла. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/25696 |
| Располагается в коллекциях: | Публикации в зарубежных изданиях |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Nadezhnost' DOZU.pdf | 183.88 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.