Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/25696| Title: | Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации |
| Authors: | Урбанович, Павел Павлович |
| Keywords: | полупроводниковые оперативные запоминающие устройства код Хемминга |
| Issue Date: | 1990 |
| Citation: | Урбанович, П. П. Надежность кристаллов динамических ОЗУ при коррекции сбоев в процессе регенерации информации/ П.П. Урбанович// Электронная техника. Сер. 10: Микроэлектронные устройства. – 1990. – Т. 81, вып. 3. – С. 5-7. |
| Description: | Проведен анализ надежности полупроводниковых оперативных запоминающих устройств динамического типа при коррекции кодом Хемминга одиночных ошибок в кодовых словах различной длины в режиме регенерации информации. Сделаны практические выводы о влиянии на надежность БИС некоторых конструктивно-технологических и технических параметров кристалла. |
| URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/25696 |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Nadezhnost' DOZU.pdf | 183.88 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.