Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/29787| Title: | Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом SILAR |
| Authors: | Галковский, Тимур Вячеславович Богомазова, Наталья Валентиновна Жарский, Иван Михайлович |
| Keywords: | формирование пленочных структур пленочные структуры сульфиды сульфид олова нанотехнологический метод ионное наслаивание метод SILAR |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | БГТУ |
| Citation: | Галковский, Т. В. Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом SILAR / Т. В. Галковский, Н. В. Богомазова, И. М. Жарский // Современные электрохимические технологии и оборудование - 2019 : материалы Международной научно-технической конференции, Минск, 13-17 мая 2019 г. - Минск : БГТУ, 2019. - С. 301-304. |
| Abstract: | Объектами исследований в данной работе являлись тонкие пленки SnS[x]. Сульфид олова является альтернативным фотовольтаическим материалом в новом поколении тонкопленочных солнечных ячеек, способным заменить хорошо известные функциональные материалы на основе CdTe, содержащие токсичный кадмий. Кроме того, новые возможности применения оптических свойств SnS в видимом диапазоне спектра открывает переход от микрокристаллического состояния в наноструктурированное. |
| URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/29787 |
| Appears in Collections: | Материалы конференции постатейно |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Galkovskij_Osobennosti formirovaniya.pdf | 284.44 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.