Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/30498
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorУрбанович, Павел Павлович-
dc.date.accessioned2019-09-18T05:56:30Z-
dc.date.available2019-09-18T05:56:30Z-
dc.date.issued1990-
dc.identifier.citationУрбанович П. П. Надежность БИС ЗУ с нейтрализацией отказов и сбоев схемотехническими методами / П. П. Урбанович // VII Международная конференция по микроэлектронике, Минск, 16-18 октября 1990. Т.1.- Минск. - 1990. - С. 150-152.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/30498-
dc.descriptionОдним из наиболее эффективных средств повышения надежности кристаллов полупроводниковых ЗУ являются схемотехнические методы, основанные на реализации принципов помехоустойчивого кодирования информации, т. е. посредством введения структурной и временной избыточности. Избыточные схемы обеспечивают обнаружение и исправление информационных ошибок, возникающих из-за отказов или сбоев отказов) в БИС.ru
dc.subjectпомехоустойчивое кодированиеru
dc.subjectполупроводниковые запоминающие устройстваru
dc.titleНадежность БИС ЗУ с нейтрализацией отказов и сбоев схемотехническими методамиru
dc.typeArticleru
Располагается в коллекциях:Статьи в зарубежных изданиях

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Microelectronics'90-1.PDF165.32 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.