Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/31438
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Урбанович, Павел Павлович | ru |
dc.date.accessioned | 2019-11-16T10:17:40Z | - |
dc.date.available | 2019-11-16T10:17:40Z | - |
dc.date.issued | 2019 | - |
dc.identifier.citation | Урбанович, П. П. Моделирование и анализ надежностных параметров полупроводниковой памяти информационно-вычислительных устройств / П. П. Урбанович (в сотрудничестве с Люблинским католическим университетом Иоанна Павла II, Польша) // Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика. - Минск: БГТУ, 2019. - № 2 (224). - С. 51-57. | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/31438 | - |
dc.description.abstract | Приведен анализ некоторых подходов в моделировании технологичности и надежности кристаллов и модулей полупроводниковой памяти. Один из существующих подходов основан на совершенствовании отдельных приборов (чипов) для повышения их надежности и выхода годных (технологичности); другой – на анализе фактической надежности приборов с целью получения достоверных данных, необходимых для расчета надежностных характеристик модулей памяти или иной аппаратуры с памятью. Подчеркнуто, что дефекты и отказы в кристаллах и модулях полупроводниковой памяти, разработка адекватных моделей для описания указанных неисправностей, а также разработка и использование эффективных структурно-избыточных средств для нейтрализации неисправностей следует рассматривать и решать как единую комплексную проблему. Имеющиеся сведения о характере ошибок при обращении к модулям памяти (при считывании данных) персонального компьютера позволяют сделать предположение, что этот информационный канал можно рассматривать с точки зрения группирующегося характера информационных ошибок и связанного с этим группирования отказов в микросхемах памяти и каналах передачи информации с подключением полупроводниковой памяти. С учетом выявленных аналогий между распределениями ошибок и отказов (дефектов) в телефонных и телеграфных каналах передачи и в системах полупроводниковой памяти в статье рассмотрены подходы к моделированию распределения отказов в кристаллах памяти. Сформулирован вывод: для обобщенного отрицательного биномиального распределения средняя площадь кристалла, в которой содержится х отказов, тем меньше, чем больше само число отказов, или, чем больше отказов, тем сильнее они должны группироваться. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | ru |
dc.publisher | БГТУ | ru |
dc.subject | полупроводниковая память | ru |
dc.subject | моделирование | ru |
dc.subject | надежность | ru |
dc.title | Моделирование и анализ надежностных параметров полупроводниковой памяти информационно-вычислительных устройств | ru |
dc.type | Article | en |
dc.identifier.udc | 621.3.29 | - |
Appears in Collections: | выпуск журнала постатейно |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Urbanovich_modelirovanie_i_analiz.pdf | 737.82 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.