Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/31438
Название: | Моделирование и анализ надежностных параметров полупроводниковой памяти информационно-вычислительных устройств |
Авторы: | Урбанович, Павел Павлович |
Ключевые слова: | полупроводниковая память моделирование надежность |
Дата публикации: | 2019 |
Издательство: | БГТУ |
Библиографическое описание: | Урбанович, П. П. Моделирование и анализ надежностных параметров полупроводниковой памяти информационно-вычислительных устройств / П. П. Урбанович (в сотрудничестве с Люблинским католическим университетом Иоанна Павла II, Польша) // Труды БГТУ. Сер. 3, Физико-математические науки и информатика. - Минск: БГТУ, 2019. - № 2 (224). - С. 51-57. |
Краткий осмотр (реферат): | Приведен анализ некоторых подходов в моделировании технологичности и надежности кристаллов и модулей полупроводниковой памяти. Один из существующих подходов основан на совершенствовании отдельных приборов (чипов) для повышения их надежности и выхода годных (технологичности); другой – на анализе фактической надежности приборов с целью получения достоверных данных, необходимых для расчета надежностных характеристик модулей памяти или иной аппаратуры с памятью. Подчеркнуто, что дефекты и отказы в кристаллах и модулях полупроводниковой памяти, разработка адекватных моделей для описания указанных неисправностей, а также разработка и использование эффективных структурно-избыточных средств для нейтрализации неисправностей следует рассматривать и решать как единую комплексную проблему. Имеющиеся сведения о характере ошибок при обращении к модулям памяти (при считывании данных) персонального компьютера позволяют сделать предположение, что этот информационный канал можно рассматривать с точки зрения группирующегося характера информационных ошибок и связанного с этим группирования отказов в микросхемах памяти и каналах передачи информации с подключением полупроводниковой памяти. С учетом выявленных аналогий между распределениями ошибок и отказов (дефектов) в телефонных и телеграфных каналах передачи и в системах полупроводниковой памяти в статье рассмотрены подходы к моделированию распределения отказов в кристаллах памяти. Сформулирован вывод: для обобщенного отрицательного биномиального распределения средняя площадь кристалла, в которой содержится х отказов, тем меньше, чем больше само число отказов, или, чем больше отказов, тем сильнее они должны группироваться. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/31438 |
Располагается в коллекциях: | выпуск журнала постатейно |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Urbanovich_modelirovanie_i_analiz.pdf | 737.82 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.