Моделирование и анализ надежностных параметров полупроводниковой памяти информационно-вычислительных устройств

Abstract

Приведен анализ некоторых подходов в моделировании технологичности и надежности кристаллов и модулей полупроводниковой памяти. Один из существующих подходов основан на совершенствовании отдельных приборов (чипов) для повышения их надежности и выхода годных (технологичности); другой – на анализе фактической надежности приборов с целью получения достоверных данных, необходимых для расчета надежностных характеристик модулей памяти или иной аппаратуры с памятью. Подчеркнуто, что дефекты и отказы в кристаллах и модулях полупроводниковой памяти, разработка адекватных моделей для описания указанных неисправностей, а также разработка и использование эффективных структурно-избыточных средств для нейтрализации неисправностей следует рассматривать и решать как единую комплексную проблему. Имеющиеся сведения о характере ошибок при обращении к модулям памяти (при считывании данных) персонального компьютера позволяют сделать предположение, что этот информационный канал можно рассматривать с точки зрения группирующегося характера информационных ошибок и связанного с этим группирования отказов в микросхемах памяти и каналах передачи информации с подключением полупроводниковой памяти. С учетом выявленных аналогий между распределениями ошибок и отказов (дефектов) в телефонных и телеграфных каналах передачи и в системах полупроводниковой памяти в статье рассмотрены подходы к моделированию распределения отказов в кристаллах памяти. Сформулирован вывод: для обобщенного отрицательного биномиального распределения средняя площадь кристалла, в которой содержится х отказов, тем меньше, чем больше само число отказов, или, чем больше отказов, тем сильнее они должны группироваться.