Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/31445
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorUrbanovich, P.en
dc.date.accessioned2019-11-16T11:01:36Z-
dc.date.available2019-11-16T11:01:36Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationUrbanovich, P. Error modeling in semiconductor memory of computers / P. Urbanovich // Proc. of 11th Intern. Conf. NEET’2019, Zakopane, Poland, June 25 - 28, 2019. – Lublin University of Techn., 2019. – P. 30.en
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/31445-
dc.descriptionDefects in semiconductor memory chips and errors of their functioning are of interest to both manufacturers of memory and their consumers. Memory errors can be classified into soft errors, which randomly corrupt bits but do not leave physical damage; and hard errors, which corrupt bits in a repeatable manner because of a physical defect. Some time ago numerous studies concerning the distribution of failures and bit errors in chips and semiconductor memory systems were conducted.en
dc.subjectError modelingen
dc.subjectsemiconductor memory of computersen
dc.titleError modeling in semiconductor memory of computersen
dc.typeArticleen
Располагается в коллекциях:Статьи в зарубежных изданиях

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
NEET'2019-1.pdf106.55 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.