Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/33289
Title: | Влияние ионно-ассистируемого осаждения на содержание водорода в структурах Me/Si |
Authors: | Тульев, Валентин Валентинович |
Keywords: | приповерхностные слои ионно-ассистируемое осаждение водород метод резерфордовского обратного рассеяния метод РОР концентрации водорода структуры Ме/Si |
Issue Date: | 2020 |
Publisher: | БГТУ |
Citation: | Тульев, В. В. Влияние ионно-ассистируемого осаждения на содержание водорода в структурах Me/Si / В. В. Тульев // Информационные технологии : материалы докладов 84-й научно-технической конференции, посвященной 90-летнему юбилею БГТУ и Дню белорусской науки (с международным участием), Минск, 03-14 февраля 2020 г. - Минск : БГТУ, 2020. – С. 238-240. |
Abstract: | В работе обсуждаются экспериментальные результаты по изучению приповерхностных слоев структур Ме/Si, сформированных методом ионно-ассистируемого осаждения в вакууме. В качестве подложки использовался образцы из кремния, на которые наносились металлсодержащие покрытие на основе Cr, Ti, Zr. |
URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/33289 |
Appears in Collections: | Информационные технологии |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Tul'ev_Vliyanie_ionno.pdf | 185.21 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.