Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/33290| Title: | Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов алюминия |
| Authors: | Бобрович, Олег Георгиевич |
| Keywords: | дефектообразование арсенид галлия имплантация ионов алюминия радиационные дефекты кинетика накопления дефектов аморфизация поверхностного слоя полупроводники ионное внедрение полупроводниковые приборы |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | БГТУ |
| Citation: | Бобрович, О. Г. Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов алюминия // О. Г. Бобрович // Информационные технологии : материалы докладов 84-й научно-технической конференции, посвященной 90-летнему юбилею БГТУ и Дню белорусской науки (с международным участием), Минск, 03-14 февраля 2020 г. - Минск : БГТУ, 2020. – С. 235-237. |
| Abstract: | При имплантации ионов в полупроводниковые материалы электрофизические свойства модифицированных поверхностных слоев в значительной степени определяются не только видом и количеством добавок, но и еще и формирующимися в них во время и после имплантации радиационными дефектами. В данной работе изучалась кинетика накопления дефектов структуры в кристалле (111) GaAs, облучаемой ионами алюминия энергией 60 кэВ и дозами 4,10×10{13} Al{+}/см{2} - 8,14×10{15} Al{+}/см{2} при комнатной температуре. |
| URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/33290 |
| Appears in Collections: | Информационные технологии |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Bobrovich_Defektoobrazovanie.pdf | 243.8 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.