Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/41977
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorДжавадова, С. П.-
dc.contributor.authorМеджидзаде, В. А.-
dc.contributor.authorАлиев, А. Ш.-
dc.date.accessioned2021-07-01T09:45:50Z-
dc.date.available2021-07-01T09:45:50Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationДжавадова, С. П. Гальваностатическое осаждение тонких пленок Bi[2]Se[3] / С. П. Джавадова, В. А. Меджидзаде, А. Ш. Алиев // Современные электрохимические материалы и оборудование : материалы Междунар. науч.-техн. конф., г. Минск, 18–20 мая 2021 г. – Минск : БГТУ, 2021. – С. 169-170.ru
dc.identifier.urihttps://elib.belstu.by/handle/123456789/41977-
dc.description.abstractЦель работы состоит в электроосаждении тонких пленок Bi[2]Se[3] из раствора этиленгликоля на Ni-электроде. Для этого гальваностатическим методом исследовано влияние различных факторов (концентрации исходных компонентов, температуры, плотности тока и времени электролиза) на состав осажденных пленок Bi[2]Se[3].ru
dc.format.mimetypeapplication/pdfru
dc.language.isoruru
dc.publisherБГТУru
dc.subjectгальваностатическое осаждениеru
dc.subjectтонкие пленкиru
dc.subjectосаждение тонких пленокru
dc.subjectтонкие полупроводниковые пленкиru
dc.subjectполупроводниковые пленкиru
dc.subjectэтиленгликольru
dc.subjectэлектроосаждение тонких пленокru
dc.titleГальваностатическое осаждение тонких пленок Bi[2]Se[3]ru
dc.typeArticleru
Располагается в коллекциях:материалы конференции постатейно

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Джавадова_Гальваностатическое.pdf138.74 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.