Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/41977
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Джавадова, С. П. | - |
dc.contributor.author | Меджидзаде, В. А. | - |
dc.contributor.author | Алиев, А. Ш. | - |
dc.date.accessioned | 2021-07-01T09:45:50Z | - |
dc.date.available | 2021-07-01T09:45:50Z | - |
dc.date.issued | 2021 | - |
dc.identifier.citation | Джавадова, С. П. Гальваностатическое осаждение тонких пленок Bi[2]Se[3] / С. П. Джавадова, В. А. Меджидзаде, А. Ш. Алиев // Современные электрохимические материалы и оборудование : материалы Междунар. науч.-техн. конф., г. Минск, 18–20 мая 2021 г. – Минск : БГТУ, 2021. – С. 169-170. | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.belstu.by/handle/123456789/41977 | - |
dc.description.abstract | Цель работы состоит в электроосаждении тонких пленок Bi[2]Se[3] из раствора этиленгликоля на Ni-электроде. Для этого гальваностатическим методом исследовано влияние различных факторов (концентрации исходных компонентов, температуры, плотности тока и времени электролиза) на состав осажденных пленок Bi[2]Se[3]. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БГТУ | ru |
dc.subject | гальваностатическое осаждение | ru |
dc.subject | тонкие пленки | ru |
dc.subject | осаждение тонких пленок | ru |
dc.subject | тонкие полупроводниковые пленки | ru |
dc.subject | полупроводниковые пленки | ru |
dc.subject | этиленгликоль | ru |
dc.subject | электроосаждение тонких пленок | ru |
dc.title | Гальваностатическое осаждение тонких пленок Bi[2]Se[3] | ru |
dc.type | Article | ru |
Располагается в коллекциях: | материалы конференции постатейно |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Джавадова_Гальваностатическое.pdf | 138.74 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.