Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/41977
Название: Гальваностатическое осаждение тонких пленок Bi[2]Se[3]
Авторы: Джавадова, С. П.
Меджидзаде, В. А.
Алиев, А. Ш.
Ключевые слова: гальваностатическое осаждение
тонкие пленки
осаждение тонких пленок
тонкие полупроводниковые пленки
полупроводниковые пленки
этиленгликоль
электроосаждение тонких пленок
Дата публикации: 2021
Издательство: БГТУ
Библиографическое описание: Джавадова, С. П. Гальваностатическое осаждение тонких пленок Bi[2]Se[3] / С. П. Джавадова, В. А. Меджидзаде, А. Ш. Алиев // Современные электрохимические материалы и оборудование : материалы Междунар. науч.-техн. конф., г. Минск, 18–20 мая 2021 г. – Минск : БГТУ, 2021. – С. 169-170.
Краткий осмотр (реферат): Цель работы состоит в электроосаждении тонких пленок Bi[2]Se[3] из раствора этиленгликоля на Ni-электроде. Для этого гальваностатическим методом исследовано влияние различных факторов (концентрации исходных компонентов, температуры, плотности тока и времени электролиза) на состав осажденных пленок Bi[2]Se[3].
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.belstu.by/handle/123456789/41977
Располагается в коллекциях:материалы конференции постатейно

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Джавадова_Гальваностатическое.pdf138.74 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.