Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/41977| Title: | Гальваностатическое осаждение тонких пленок Bi[2]Se[3] |
| Authors: | Джавадова, С. П. Меджидзаде, В. А. Алиев, А. Ш. |
| Keywords: | гальваностатическое осаждение тонкие пленки осаждение тонких пленок тонкие полупроводниковые пленки полупроводниковые пленки этиленгликоль электроосаждение тонких пленок |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | БГТУ |
| Citation: | Джавадова, С. П. Гальваностатическое осаждение тонких пленок Bi[2]Se[3] / С. П. Джавадова, В. А. Меджидзаде, А. Ш. Алиев // Современные электрохимические материалы и оборудование : материалы Междунар. науч.-техн. конф., г. Минск, 18–20 мая 2021 г. – Минск : БГТУ, 2021. – С. 169-170. |
| Abstract: | Цель работы состоит в электроосаждении тонких пленок Bi[2]Se[3] из раствора этиленгликоля на Ni-электроде. Для этого гальваностатическим методом исследовано влияние различных факторов (концентрации исходных компонентов, температуры, плотности тока и времени электролиза) на состав осажденных пленок Bi[2]Se[3]. |
| URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/41977 |
| Appears in Collections: | материалы конференции постатейно |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Джавадова_Гальваностатическое.pdf | 138.74 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.