Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/41977
Название: | Гальваностатическое осаждение тонких пленок Bi[2]Se[3] |
Авторы: | Джавадова, С. П. Меджидзаде, В. А. Алиев, А. Ш. |
Ключевые слова: | гальваностатическое осаждение тонкие пленки осаждение тонких пленок тонкие полупроводниковые пленки полупроводниковые пленки этиленгликоль электроосаждение тонких пленок |
Дата публикации: | 2021 |
Издательство: | БГТУ |
Библиографическое описание: | Джавадова, С. П. Гальваностатическое осаждение тонких пленок Bi[2]Se[3] / С. П. Джавадова, В. А. Меджидзаде, А. Ш. Алиев // Современные электрохимические материалы и оборудование : материалы Междунар. науч.-техн. конф., г. Минск, 18–20 мая 2021 г. – Минск : БГТУ, 2021. – С. 169-170. |
Краткий осмотр (реферат): | Цель работы состоит в электроосаждении тонких пленок Bi[2]Se[3] из раствора этиленгликоля на Ni-электроде. Для этого гальваностатическим методом исследовано влияние различных факторов (концентрации исходных компонентов, температуры, плотности тока и времени электролиза) на состав осажденных пленок Bi[2]Se[3]. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/41977 |
Располагается в коллекциях: | материалы конференции постатейно |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Джавадова_Гальваностатическое.pdf | 138.74 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.