Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/44908
Название: Получение тонких пленок на основе оксида вольфрама и ислледование возможности их использования в качестве чувствительных слоев в газовых сенсорах
Авторы: Шишкин, Николай Яковлевич
Косов, Д. В.
Черкасов, Вадим Анатольевич
Шафранский, С. Н.
Жарский, Иван Михайлович
Ключевые слова: тонкие пленки
оксид вольфрама
газовые сенсоры
оксид ванадия
кислород
магнетронное распыление
газочувствительность пленок
Дата публикации: 2001
Издательство: БГТУ
Библиографическое описание: Получение тонких пленок на основе оксида вольфрама и ислледование возможности их использования в качестве чувствительных слоев в газовых сенсорах / Н. Я. Шишкин [и др.] // Труды БГТУ. №3. Химия и технология неорганических веществ, 2001. - С. 99-102
Краткий осмотр (реферат): Тонкие пленки на основе оксида вольфрама с добавками ванадия были получены путем магнетронного распыления мишени W-V мозаичного типа на подложку из окисленного кремния с последующим окислением в воздушной атмосфере при температуре 400 °С. Полученные пленки были исследованы на газочувствительность при повышенной температуре в атмосфере с контролируемой концентрацией водорода и различной влажностью путем измерения проводимости пленок. Пленки показали хорощую чувствительность к водороду. При анализе экспериментальных данных было выяснено, что наиболее благоприятными условиями является темпрература 370-470 °С, так как в этом интервале пленки демонстрируют высокую чувствительность к водороду и малое время отклика. Полученные пленки могут быть использованы в качестве сенсорных слоев в датчиках на водород и другие газы.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.belstu.by/handle/123456789/44908
Располагается в коллекциях:Труды БГТУ. №3. Химия и технология неорганических веществ, 2001

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Шишкин_Получение тонких пленок.pdf364.88 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.