Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/50758| Title: | Полиимидная пассивация поверхности арсенида галлия |
| Authors: | Глоба, И. И. Прокопчук, Николай Романович |
| Keywords: | полиимидные покрытия пассивация поверхности полупроводников имидизация покрытий арсенид галлия полупроводниковые материалы |
| Issue Date: | 1999 |
| Citation: | Глоба, И. И. Полиимидная пассивация поверхности арсенида галлия / И. И. Глоба, Н. Р. Прокопчук // Разработка импортозамещающих технологий и материалов в химической промышленности : материалы международной научно-технической конференции, Минск, 20-22 октября 1999 г. - Минск : БГТУ, 1999. - С. 184-185 |
| Abstract: | В данной работе исследована взаимосвязь плотности поверхностных состояний N[ss[, заряда N[s], гистерезиса вольтфарадных характеристик (ВФХ) с химическим строением полиимидов и технологическими условиями получения пассивирующих слоев на арсениде галлия при создании фотоприемников с низкой скоростью поверхностной рекомбинации зарядов и М ДП-транзисторов. |
| URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/50758 |
| Appears in Collections: | Публикации в республиканских изданиях |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Глоба. Полиимидная.pdf | 114.57 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.