Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/57020| Title: | Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов алюминия и фосфора |
| Authors: | Бобрович, Олег Георгиевич |
| Keywords: | резерфордовское обратное рассеяние ионы гелия дефектообразование арсенид галлия имплантация ионов ионы алюминия ионы фосфора |
| Issue Date: | 2022 |
| Citation: | Бобрович, О. Г. Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов алюминия и фосфора / О. Г. Бобрович // Тезисы докладов 51-й международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 24-26 мая 2022 г. - Москва : МГУ им. М. В. Ломоносова, 2022. - С. 122. |
| Abstract: | В настоящей работе методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с каналированием (РОРКИ) исследовано дефектообразование в кристаллах (111) GaAs, имплантированных ионами алюминия энергией 60 кэВ и дозами 4,0·10{13} Al{+}/см{2} – 8,1·10{15} Al{+}/см{2} при комнатной температуре и фосфора с энергией 60 кэВ до дозы 4,0·10{14} Р{+}/см{2} после термического отжига в интервале температур 150−450 °С. |
| URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/57020 |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Бобрович_Дефектообразование.pdf | 99.73 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.