Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/67988| Title: | Влияние неоднородности распределения по глубине примесных центров на емкость полупроводниковых оксидных пленок |
| Authors: | Богомазова, Наталья Валентиновна Слесаренко, Ольга Александровна Бокун, Георгий Станиславович Жарский, Иван Михайлович |
| Keywords: | распределение электронов одноэлектронное приближение уравнение Пуассона дифференциальная емкость распределение примесных центров |
| Issue Date: | 1992 |
| Citation: | Влияние неоднородности распределения по глубине примесных центров на емкость полупроводниковых оксидных пленок / Н. В. Богомазова, О. А. Слесаренко, Г. С. Бокун, И. М. Жарский. - Текст : непосредственный // Электрохимия. - 1992. - Т. 28, №. 9. - С. 1397-1400. - Библиогр.: 5 назв. |
| Abstract: | В работе рассматривается пример гауссовского распределения донорных уровней. Такое распределение соответствует концентрации примеси, внедренной, например. методом ионной имплантации в неупорядоченные аморфные матрицы. Частным случаем подобной системы являются исследуемые авторами полупроводниковые пленки пассивирующихся металлов, имплантированные ионами платины, палладия и др. |
| URI: | https://elib.belstu.by/handle/123456789/67988 |
| Appears in Collections: | Жарский Иван Михайлович Статьи в зарубежных изданиях |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Богомазова_Влияние.pdf | 275.77 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.