Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elib.belstu.by/handle/123456789/67988| Название: | Влияние неоднородности распределения по глубине примесных центров на емкость полупроводниковых оксидных пленок |
| Авторы: | Богомазова, Наталья Валентиновна Слесаренко, Ольга Александровна Бокун, Георгий Станиславович Жарский, Иван Михайлович |
| Ключевые слова: | распределение электронов одноэлектронное приближение уравнение Пуассона дифференциальная емкость распределение примесных центров |
| Дата публикации: | 1992 |
| Библиографическое описание: | Влияние неоднородности распределения по глубине примесных центров на емкость полупроводниковых оксидных пленок / Н. В. Богомазова, О. А. Слесаренко, Г. С. Бокун, И. М. Жарский. - Текст : непосредственный // Электрохимия. - 1992. - Т. 28, №. 9. - С. 1397-1400. - Библиогр.: 5 назв. |
| Краткий осмотр (реферат): | В работе рассматривается пример гауссовского распределения донорных уровней. Такое распределение соответствует концентрации примеси, внедренной, например. методом ионной имплантации в неупорядоченные аморфные матрицы. Частным случаем подобной системы являются исследуемые авторами полупроводниковые пленки пассивирующихся металлов, имплантированные ионами платины, палладия и др. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.belstu.by/handle/123456789/67988 |
| Располагается в коллекциях: | Жарский Иван Михайлович Статьи в зарубежных изданиях |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Богомазова_Влияние.pdf | 275.77 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.