Формирование покрытия на кремнии ионно-ассистированным нанесением Zr в условиях самооблучения

Abstract

В работе исследован состав, распределение элементов в покрытии нанесенном на пластины (100) Si при комнатной температуре, а также дефектообразование в кристаллах кремния при ионно-ассистированном нанесении металлсодержащего (Zr) покрытия в условиях самооблучения. Элементный состав покрытия и распределение элементов по глубине изучали с применением резерфордовского обратного рассеяния (POP) ионов гелия, а повреждение структуры кремния - методом просвечивающей электронной микроскопии и методом POP в сочетании с каналированием ионов гелия. Уменьшение ускоряющего напряжения для ассистирующих ионов Zr+ от 10 кВ до 5 кВ приводит к увеличению толщины покрытия в - 1,5 раза при одинаковом времени модифицирования образцов кремния.