Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://elib.belstu.by/handle/123456789/36124
Название: Micro-Raman Investigation of Hydrogen Localized in Cone-Shaped Defects Formed on the Silicon Wafer Surface
Авторы: Frantskevich, N. V.
Fedotov, A. K.
Frantskevich, A. V.
Mazanik, N. V.
Ключевые слова: study of molecular hydrogen
cone-shaped defects
laser irradiation
micro-Raman study
Дата публикации: 2014
Библиографическое описание: Micro-Raman Investigation of Hydrogen Localized in Cone-Shaped Defects Formed on the Silicon Wafer Surface / N. V. Frantskevich [et al.] // Acta Physica Polonica A. - 2014. - Vol. 125, № 6. - P. 1332-1334
Краткий осмотр (реферат): The goal of this work is the micro-Raman study of molecular hydrogen localized in cone-shaped defects, which are formed on the surface of previously helium implanted and annealed Czocliralski Si wafers as a result of hydrogen plasma treatment. The line at ~ 4158 cm-1 corresponding to molecular hydrogen is observed in the Raman spectra when the laser beam is focused both on cone-shaped defects or defect-free regions of the surface. The laser irradiation of cone-shaped defects during micro-Raman experiments leads to intensity increase of this
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.belstu.by/handle/123456789/36124
Располагается в коллекциях:Публикации в зарубежных изданиях

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
17.pdf628.78 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.